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マイクロ波高調波処理回路

シーズコード S130011298
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 黒田 健太
  • 本城 和彦
技術名称 マイクロ波高調波処理回路
技術概要 入力端子がトランジスタの出力端子に接続され、所定の電気長を有する直列伝送線路T11の出力端子に1点で並列接続され2次以上でn次(nは任意の整数)までの高調波に対してそれぞれが所定の電気長を持つ異なる長さの(n-1)個の並列先端開放スタブT21~T26、直列伝送線路と(n-1)個の並列先端開放スタブの内の2つの並列先端開放スタブT25,T26が1つの接続点で接続されて構成された第1ストリップ導体7、(n-3)個の並列先端開放スタブT21,T22,T34,T24が1つの接続点で接続されて構成された第2ストリップ導体3、第1ストリップ導体と第2ストリップ導体との間に配置された接地層5、第1ストリップ導体の接続部20と第2ストリップ導体の接続部22とを電気的に接続するビア10を有する。
画像

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研究分野
  • 電子回路
展開可能なシーズ マイクロ波高調波処理回路では、隣接するスタブ間で磁界が結合したり寄生容量が大きくなるため、動作周波数を飛躍的に増大できず、電力効率も68%程度と低かった。そこで、電力効率を向上できるマイクロ波高調波処理回路を提供することを目的とする。
本発明によれば、多数の異なる長さの並列先端開放スタブを電気的に1つの接続点で接続し、接続点に接続される回路素子を第1伝送線路層と第2伝送線路層とに多層に分割し、第1伝送線路層と第2伝送線路層との間に接地層が存在するので、各層が電気的にシールドされ、第1伝送線路層と第2伝送線路層とが結合しなくなる。また、第1伝送線路層の接続点と第2伝送線路層の接続点とをビアにより電気的に接続したので、接続部の物理的面積の増大により生ずる寄生成分と回路素子が近接して配置されることによる素子同士の磁気結合及び電気結合を抑制することができる。これにより、理想的な複数の並列先端開放スタブを接続でき、マイクロ波帯における超高効率のF級電力増幅器などにおいて顕著な効果が得られる。
用途利用分野 高調波処理回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人電気通信大学, . 黒田 健太, 本城 和彦, . マイクロ波高調波処理回路. 特開2011-066839. 2011-03-31
  • H01P   7/08     
  • H01P   1/212    
  • H01P   3/08     
  • H03F   1/02     
  • H03F   3/24     
  • H03F   3/60     

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