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ペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法、電子機能素子材料として用いられるペロブスカイト型酸化物、ペロブスカイト型酸化物を用いた電子機能素子及び電子装置

シーズコード S130011359
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 中村 文彦
  • 竹本 哲雄
  • 坂木 麻里子
  • 山内 洋平
技術名称 ペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法、電子機能素子材料として用いられるペロブスカイト型酸化物、ペロブスカイト型酸化物を用いた電子機能素子及び電子装置
技術概要 絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物に、これまでの数kV/cmよりも2桁低い40V/cm~80V/cm程度の電場を印加することで、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物を金属相に相転移させる。さらに、電場の印加により金属相に相転移したペロブスカイト型酸化物を冷却させることで、常磁性金属相にあるペロブスカイト型酸化物を強磁性金属相に相転移させる。このため、従来では圧力印加や元素置換によって行なわれていたペロブスカイト型酸化物における絶縁体相-金属相間の相転移、つまり、モット転移を、電場を印加することにより誘起することができる。電流-電圧特性の評価結果により、モット絶縁体CaRuOに乾電池1個に満たないわずかな電圧を印加することにより、モット絶縁体CaRuOに絶縁破壊、すなわち、絶縁体-金属転移を引き起こすことができることを明らかにした。
画像

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研究分野
  • 金属-絶縁体転移
  • 固体デバイス一般
展開可能なシーズ モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相-金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。
絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物に所定の電圧を与えることにより、ペロブスカイト型酸化物に所定の電場を印加する電場印加ステップと、電場印加ステップにおいてペロブスカイト型酸化物に印加される電場を用いて、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物を金属相に相転移させる第1の相転移誘起ステップとを含む方法である。それゆえ、モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相-金属相間の相転移を容易に誘起することができる。
用途利用分野 スイッチング素子、揮発性のメモリ、不揮発性のメモリ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人広島大学, . 中村 文彦, 竹本 哲雄, 坂木 麻里子, 山内 洋平, . ペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法、電子機能素子材料として用いられるペロブスカイト型酸化物、ペロブスカイト型酸化物を用いた電子機能素子及び電子装置. 特開2010-166039. 2010-07-29
  • H01L  27/10     
  • H01L  27/105    
  • H01L  21/8246   
  • H01L  43/08     
  • H01L  43/10     
  • H01L  45/00     
  • H01L  49/00     

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