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薄膜積層体及びそれを用いた有機トランジスタ

シーズコード S130011412
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 岡田 裕之
  • 中 茂樹
技術名称 薄膜積層体及びそれを用いた有機トランジスタ
技術概要 半導体特性を有する第1の有機薄膜と、第2の有機薄膜又は無機系の絶縁性薄膜とを交互に複層積層する。第1の有機薄膜は、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセンなどのアセン系芳香族である。第1の有機薄膜とは異なる有機物質からなる第2の有機薄膜をこの第1の有機薄膜の間に積層する方法と、第1の有機薄膜と無機系の絶縁性薄膜とを積層する方法により、第1の有機薄膜の3次元化を抑える。これにより均一性の高い、超格子構造が得られる。無機系の絶縁性薄膜としては、金属酸化物薄膜を用いる。第1の有機薄膜と、この第1の有機薄膜とは異なる第2の半導体性有機薄膜とを積層する積層体を、有機トランジスタの半導体部に用いて試作評価した結果、トランジスタ特性が向上することが明らかになった。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 有機化合物の電気伝導
展開可能なシーズ 分子層厚さレベルで制御された第1の有機層と、第1の有機層とは異なる第2の有機層又は無機系の極薄絶縁層との積層構造を形成することで、従来の半導体層成膜では樹枝状構造等になってしまい均一性が確保できない膜構造を、平坦膜とすることが可能となる薄膜積層体を提供する。
超格子となる第1の有機薄膜と非晶質からなる第2の有機薄膜又は無機系の絶縁性薄膜とを積層したので、第1の有機薄膜の二次元的成長を確保し、優れた有機半導体超格子構造になる。また、ペンタセン等の有機層を2分子膜等の分子層厚レベルに制御し、無機系の絶縁性薄膜の材質をアルミナ薄膜等に選定すれば、薄膜積層体表面の表面ラフネスを小さく制御することができる。
用途利用分野 有機エレクトロルミネンス素子、有機光電変換素子、有機トランジスタ、RFID駆動ドライバ、光センサ駆動回路、光スキャナ駆動回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人富山大学, . 岡田 裕之, 中 茂樹, . 薄膜積層体及びそれを用いた有機トランジスタ. . 2010-07-15
  • H01L  29/786    
  • B32B   7/02     
  • H01L  51/05     
  • H01L  51/30     

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