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スピン緩和変動方法、スピン流検出方法、及び、スピン緩和を利用したスピントロニクスデバイス

シーズコード S130011416
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 安藤 和也
  • 針井 一哉
  • 捧 耕平
  • 齊藤 英治
技術名称 スピン緩和変動方法、スピン流検出方法、及び、スピン緩和を利用したスピントロニクスデバイス
技術概要 特定のスピン状態にある部材1にスピン流4を注入してスピン緩和時間を制御する。即ち、スピン緩和過程におけるスピン或いは磁気モーメント2の角運動量及びエネルギーの散逸に伴うスピン流4の発生現象を逆に利用して、スピン流4を注入することによって、特定のスピン状態にある部材1のスピン緩和時間を制御する。このように、スピン流4によりスピン緩和時間の制御が可能になることによって、各種のスピントロニクスデバイス或いはスピントロニクスシステムの高速化、高機能化、或いは、低消費電力化が可能になる。
画像

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研究分野
  • 電子スピン共鳴一般
  • 磁電デバイス
展開可能なシーズ スピン流の注入によりスピン緩和を変動させるとともに、純スピン注入効率を高める。
スピン注入電極を、金属-絶縁体転移が生ずる寸前の短平均自由行程領域、好適には平均自由行程が平均原子間距離の2~5倍の材料で構成することによって、スピン流変換効率を高めることができる。それによって、純スピン流の注入効率を大幅に向上することができるので、素子の熱破壊を防止することができるとともに、消費電力を低減することができる。
用途利用分野 磁気抵抗効果型ランダム・アクセス・メモリ、量子コンピュータ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人東北大学, . 安藤 和也, 針井 一哉, 捧 耕平, 齊藤 英治, . スピン緩和変動方法、スピン流検出方法、及び、スピン緩和を利用したスピントロニクスデバイス. . 2010-07-15
  • H01L  29/82     
  • H01L  21/8246   
  • H01L  27/105    
  • H01L  43/08     

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