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半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置

シーズコード S130011482
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 佐藤 久子
  • 田村 堅志
  • 山岸 晧彦
技術名称 半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置
技術概要 LiおよびMgを含み、脱水処理され、表面15に酸素が吸着したヘクトライト12を有する半導体材料である。また、LiおよびMgを含むヘクトライト12を脱水処理する工程と、前記ヘクトライト12の表面15に酸素を吸着させる工程と、を含む半導体材料の製造方法である。さらに、上記半導体材料を含む半導体装置である。
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研究分野
  • 化学装置一般
展開可能なシーズ 粘土鉱物は、自然界に豊富な材料であり、安価である。また、製造時にシリコンのように多大なエネルギーを用いた還元工程が不要である。さらに、人体に無害であり、自然環境汚染の問題もない。さらに、薄膜形成が容易である。このため、粘土鉱物を半導体材料として用いることが試みられている。そこで、抵抗値が低いヘクトライトを含む半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置を提供する。
ヘクトライト層12は、LiおよびMgを含み、脱水処理され、表面15に酸素が吸着されることによりホールが供給されたヘクトライトを有する。これにより、抵抗率を非特許文献2のサポナイトに比べ約1/10とすることができる。また、ヘクトライトはサポナイトに比べ剥離性がよい。さらに、ヘクトライトはサポナイトに比べ透明性がよい。
用途利用分野 半導体材料、半導体装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人愛媛大学, 国立研究開発法人物質・材料研究機構, . 佐藤 久子, 田村 堅志, 山岸 晧彦, . P型半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置. 特開2011-173777. 2011-09-08
  • C01B  33/40     
  • H01L  21/28     
  • H01L  29/868    
  • H01L  29/861    

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