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不揮発性記憶素子及びその制御方法

シーズコード S130011507
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 中山 和也
  • 北川 章夫
技術名称 不揮発性記憶素子及びその制御方法
技術概要 複数のメモリセルが配列された不揮発性記憶素子であって、前記複数のメモリセルのそれぞれは、第1端子と第2端子とを有するインバータ部と、前記第1端子と第1ビット線との間に配置される。また、前記第1端子と前記第1ビット線との導通及び非導通を切り替える第1選択スイッチング素子と、前記第2端子と第2ビット線との間に配置され、前記第2端子と前記第2ビット線との導通及び非導通を切り替える第2選択スイッチング素子とを備える。さらに、一端が前記第1端子に接続された第1固定抵抗と、前記第1固定抵抗の他端と信号線との間に配置され、前記第1固定抵抗の他端と前記信号線との導通及び非導通を切り替える第1制御スイッチング素子と、一端が前記第2端子に接続され、前記第1固定抵抗より高抵抗又は低抵抗となることが可能な不揮発の可変抵抗と、前記可変抵抗の他端と前記信号線との間に配置され、前記可変抵抗の他端と前記信号線との導通及び非導通を切り替える第2制御スイッチング素子とを備える。
画像

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研究分野
  • 半導体集積回路
展開可能なシーズ 故障率及び消費電力を充分に低くすることができる不揮発性記憶素子及びその制御方法を提供すること。
故障率及び消費電力を充分に小さくすることができるので、例えば、コンピュータ及び携帯電話などに搭載される各種メモリなどに利用することができる。
用途利用分野 不揮発性記憶素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人金沢大学, . 中山 和也, 北川 章夫, . 不揮発性記憶素子及びその制御方法. 特開2011-187109. 2011-09-22
  • G11C  13/00     
  • G11C  11/412    
  • G11C  11/41     

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