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半導体装置、および半導体装置の製造方法

シーズコード S130011528
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 梶川 靖友
技術名称 半導体装置、および半導体装置の製造方法
技術概要 ガラス1またはプラスチックまたはステンレス基板のような非結晶質または多結晶基板1上に、基板の温度を300℃以下とし、成長膜へのガリウム(Ga)、アンチモン(Sb)、及びヒ素(As)原子のそれぞれの供給量JGa,JSb,及びJAsを、JSb<JGa<JAs+JSbを満たすような値として、Ga,Sb,及びAs原子を同時供給して真空蒸着により成膜して、Sb組成yが0.5<y<1を満たすp形GaSbAs1-y多結晶薄膜6を形成する。これを、半導体装置のp形層に用いるようにしたので、p形半導体多結晶薄膜が得られる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 薄膜トランジスタ用半導体層の材料として、高い正孔移動度を示すp形半導体多結晶薄膜を、かつ、低い成膜温度でのプラスチック基板上への成膜をも行うことのできるp形半導体多結晶薄膜を提供する。
薄膜トランジスタ(TFT)用材料として十分高い10cm/Vs程度以上の正孔移動度を示すp形半導体多結晶薄膜が得られる。しかも、その成膜は、300℃以下の低い基板温度で行うので、プラスチック基板上への成膜をも行うことができる。
用途利用分野 絶縁ゲート形電界効果薄膜トランジスタ、接合ゲート形電界効果薄膜トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人島根大学, . 梶川 靖友, . 半導体装置の製造方法. 特開2011-171456. 2011-09-01
  • H01L  21/203    
  • H01L  29/786    
  • H01L  27/098    
  • H01L  29/808    
  • H01L  21/337    
  • H01L  21/331    
  • H01L  29/737    
  • H01L  29/201    
  • H01L  21/336    

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