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硫化物薄膜デバイス及びその製造方法

シーズコード S130011568
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 百瀬 成空
  • 橋本 佳男
技術名称 硫化物薄膜デバイス及びその製造方法
技術概要 珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面に金属珪化物と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 太陽電池
展開可能なシーズ 太陽電池や発光ダイオードなどの半導体素子に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な、電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。
金属珪化物は化学的に安定であり,金属と比べ硫化中の硫黄の侵食に対して強い耐性を持つ。したがって、硫化処理中の加熱により硫化物薄膜と同時に金属珪化物裏面電極層を作製することが可能である。しかも、モリブデン等に劣るものの金属珪化物、特にニッケルシリサイドは熱処理条件により良好な導電性を持つ。このため、高性能な硫化物薄膜デバイスを効率的に製造することができる。
用途利用分野 太陽電池、発光ダイオード
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人国立高等専門学校機構, 国立大学法人信州大学, . 百瀬 成空, 橋本 佳男, . 硫化物薄膜デバイスの製造方法. 特開2011-187732. 2011-09-22
  • H01L  21/28     
  • H01L  31/0224   

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