TOP > 技術シーズ検索 > センサ及びセンサの製造方法

センサ及びセンサの製造方法

シーズコード S130011663
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 佐藤 威友
技術名称 センサ及びセンサの製造方法
技術概要 本発明に係るセンサ1は、半導体基板3と、半導体基板3上に設けられた半導体領域5と、半導体領域5の上面に設けられたソース電極7及びドレイン電極9と、半導体基板3の裏面3b上に設けられたバックゲート電極11とを備え、半導体基板3と半導体領域5とはpn接合Jを構成し、半導体領域5の上面5uの少なくとも一部5eには、複数の孔部15が形成されており、複数の孔部15は、それぞれ、半導体領域5の上面5uから半導体基板3に向かって延びると共に、半導体基板3には至っておらず、半導体領域5の上面5uの少なくとも一部5e及び複数の孔部15の側面15sは、オープンゲート5gを構成していることを特徴とする。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2010-094012.gif
研究分野
  • 半導体を含む系の接触
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 製造コストが低いと共に、センサの特性のばらつきを抑制しながら、センサの感度を向上させることが可能なセンサ、及び、このようなセンサの製造方法を提供する。
感応面となるオープンゲートは、複数の孔部の側面を含んでいるために、表面積が大きくなる。そのため、センサの感度を高くすることができ、製造コストが低いと共に、センサの特性のばらつきを抑制しながら、センサの感度を向上させることが可能となる。
用途利用分野 イオン感応性電界効果トランジスタ、ガスセンサ、バイオセンサ、イオン選択電解質センサ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人北海道大学, . 佐藤 威友, . センサ及びセンサの製造方法. 特開2011-226800. 2011-11-10
  • G01N  27/414    
  • G01N  27/00     

PAGE TOP