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テラヘルツ電磁波発生装置

シーズコード S130011667
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 鈴木 健仁
  • 今井 洋
  • 阿久井 仁志
技術名称 テラヘルツ電磁波発生装置
技術概要 図15に示す光伝導アンテナ3は、金属板33の上に第1基板31と第2基板32とが横方向に接着されている基板上に配置されている。例えば,第1基板31はGaAs、光伝導層30は低温成長GaAs(比誘電率εr1は約13)、第2基板32はフッ素樹脂(比誘電率εr2は約3),金属板33は金、銀、アルミニウムや銅等より構成される。第1基板上には第1ライン35a、第2ライン35bよりなる対向部35cが、第2基板32の表面にはダイポールアンテナ34が蒸着等により形成されている。ここで、光源36からフェムト秒パルスレーザ光を対向部35cに照射すると、対向部35cにおける光伝導層30中に光導電効果により自由キャリアが生じ、この自由キャリアがバイアス電圧Ecにより加速されることにより、対向部35cにサブピコ秒程度のパルス状の電流が流れる。このパルス状の電流により、第1ライン35aおよび第2ライン35bを介してダイポールアンテナ34が励振されて、テラヘルツ電磁波が第1エレメント34aおよび第2エレメント34bからなるダイポールアンテナ34から放射される。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス
展開可能なシーズ 光伝導膜を有していてもアンテナ性能を向上することができるテラヘルツ電磁波発生装置を提供することを目的としている。
パルス状の光が照射される光伝導層上に形成されている対向部が、第2基板上に形成されているダイポール素子の給電部として作用するようになり、対向部から給電されたダイポール素子からテラヘル電磁波が放射されるようになる。この場合、対向部が形成されている光伝導層は比誘電率が高くされるが、ダイポール素子が形成されている第2基板の比誘電率を低くすることができる。これにより、放射利得等のアンテナ性能を向上することができるテラヘルツ電磁波発生装置とすることができる。
用途利用分野 テラヘルツ電磁波発生装置、イメージセンサ、超高速無線通信装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人茨城大学, . 鈴木 健仁, 今井 洋, 阿久井 仁志, . テラヘルツ電磁波発生装置. 特開2011-228572. 2011-11-10
  • H01S   1/02     

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