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液晶の加熱測定方法及びこれに用いるサンプルの加熱機構

シーズコード S130011707
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 太田 和親
技術名称 液晶の加熱測定方法及びこれに用いるサンプルの加熱機構
技術概要 サンプルを付着させて支持するセット部が形成されたサンプルプレートと、該サンプルプレートの裏面に配されるヒータ板とを備え、前記ヒータ板を加熱し、前記サンプルプレートに支持されたサンプルを所定の設定温度に加熱して測定を行う液晶の加熱測定方法である。前記サンプルを所定の設定温度に制御する方法として、前記サンプルプレートのセット部に、液晶となる温度が既知の液晶材料を供給し、前記ヒータ板により前記サンプルプレートを加熱しながら前記液晶材料の転移点を検知する方法により、前記ヒータ板によるサンプルの加熱温度をあらかじめキャリブレーションする工程を備え、前記キャリブレーションの結果にしたがって前記ヒータ板による加熱を制御して、前記サンプルプレートにセットされたサンプルの温度を制御する。また、前記サンプルの加熱温度をキャリブレーションする工程においては、液晶となる温度が異なる複数種の液晶材料を前記サンプルプレートに供給し、前記ヒータ板によりサンプルプレートを加熱して、これら複数種の液晶材料についての転移点を検知する方法によってキャリブレーションする。
画像

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研究分野
  • 物理実験技術
展開可能なシーズ 本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、液晶材料についてX線回折や光吸収測定を行う際に、サンプルの設定温度を変えて測定する操作を効率的に行うことを可能とし、サンプルの分量が少ない場合であっても、正確にサンプルの温度を制御して測定することができる液晶の加熱測定方法及びこれに用いるサンプルの加熱機構を提供することを目的とする。
本発明に係る液晶の加熱測定方法及びサンプルの加熱機構によれば、サンプルの液晶材料の加熱温度を正確に制御して測定することができ、液晶の相構造や配向性等の特性を測定する操作を効率的に行うことができる。
用途利用分野 液晶の加熱機構
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人信州大学, . 太田 和親, . 液晶の加熱測定方法及びこれに用いるサンプルの加熱機構. 特開2012-008235. 2012-01-12
  • G02F   1/13     
  • G01N  25/00     
  • G01N  25/02     

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