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光アイソレータ

シーズコード S022000184
掲載日 2003年5月26日
研究者
  • 中野 義昭
研究者所属機関
  • 東京大学 大学院工学系研究科
研究機関
  • 東京大学 大学院工学系研究科
技術名称 光アイソレータ
技術概要 光ファイバー通信、光センシング、光情報記録処理に重要な光アイソレータを、半導体光アンプと強磁性金属を用いて簡便に構成する方法を発明した。この新技術による光アイソレータの構成例を図に示す。図中の1は基板、2と6は第1と第2のクラッド層、3と5は第1と第2のガイド層、4は活性層、7はキャップ層、8と9は第1と第2の電極、10はバイアス源で8aはニッケル層である。この光アイソレータは構造が簡単でコンパクトで半導体基板上に集積化できるものである。
画像

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従来技術、競合技術の概要 光アイソレータは従来半導体上に作ることができず、従って外付けのデバイスとなり、大型で高価であった。
研究分野
  • 光集積回路,集積光学
  • 光伝送素子
展開可能なシーズ (1)半導体レーザとモノリシック集積が可能な光アイソレータ
(2)簡単な光アイソレータの構造
(3)コンパクト(長さ約1mm)な構造
用途利用分野 光ファイバー通信用デバイス
光センシング用デバイス
光情報記録処理用デバイス
関連発表論文 (1)横井秀樹, 水本哲弥, 新城伸大, 二口尚樹, 甲斐田憲明, 中野義昭. ダイレクトボンディングにより製作される半導体基板上集積形光アイソレータ. 電子情報通信学会技術研究報告. vol.99,no.39(OPE991‐12),1999,p.69‐74.
(2)横井秀樹, 水本哲弥, 清水雅史, 鰐石卓志, 二口尚樹, 甲斐田憲明, 中野義昭. 集積形光アイソレータを目指したダイレクトボンディングにおけるウェハ処理法. 電子情報通信学会技術研究報告. vol.99,no.278(OPE9954‐68),1999,p.1‐6.
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京大学, . 中野 義昭, 竹中 充, . 光アイソレ―タ. 特開2000-266947. 2000-09-29
  • G02B   6/12     
  • G02B  27/28     

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