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ヘキサチアペンタセン化合物及びその製造方法、並びにそれからなる光触媒

シーズコード S130011759
掲載日 2013年6月7日
研究者
  • 高口 豊
  • 田嶋 智之
  • 山川 晃生
技術名称 ヘキサチアペンタセン化合物及びその製造方法、並びにそれからなる光触媒
技術概要 前記目的は、式1[式中、R、R、R及びRは、それぞれ独立して置換基を有してもよい炭素数1~100の有機基及びハロゲン原子からなる群から選択される少なくとも1種である。]で示されるヘキサチアペンタセン化合物によって解決される。本発明はヘキサチアペンタセン化合物及びその製造方法、並びにそれからなる光触媒に関する。本発明のヘキサチアペンタセン化合物は、図6の紫外可視吸収スペクトルから分るように700~800nmの波長領域に吸収を持ち、安定性に優れるとともに、高い溶解性を示すため、ウェットプロセスによる薄膜形成等が可能になり、有機半導体材料や光触媒として好適に用いることができる。
画像

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研究分野
  • 四環以上の炭素縮合多環化合物
  • 有機化合物の電気伝導
  • 光化学反応
展開可能なシーズ 次世代の太陽電池デバイス開発に必須の材料といわれる可視~近赤外領域に強い吸収を持つ有機半導体材料の開発が大変注目されているが、700~800nmの波長領域に吸収を持つ材料の報告例は殆んど無い。700~800nmの波長領域に吸収を持つ有機半導体材料として、ヘキサチアペンタセンが知られている。ヘキサチアペンタセンは、硫黄原子と芳香族環との相互作用により特異的な二次元積層構造を取り、μ=0.27cm/Vsという高い電荷移動度を示すことが報告されている。しかし、溶解性が低いため、例えば、ウェットプロセスによる薄膜形成等が困難であり、溶解性の向上が望まれていた。本発明は前記課題を解決するためになされたものであり、安定性に優れるとともに、高い溶解性を示し、有機半導体材料や光触媒として好適なヘキサチアペンタセン化合物の提供を目的とする。
本発明のヘキサチアペンタセン化合物は、安定性に優れるとともに、高い溶解性を示すため、ウェットプロセスによる薄膜形成等が可能になり、有機半導体材料や光触媒として好適に用いることができる。
用途利用分野 有機半導体、光触媒、太陽電池
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 岡山大学, . 高口 豊, 田嶋 智之, 山川 晃生, . ヘキサチアペンタセン化合物及びその製造方法、並びにそれからなる光触媒. 特開2012-001463. 2012-01-05
  • C07D 495/06     
  • B01J  31/02     

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