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シリコン酸化膜のパターニング方法

シーズコード S130011877
掲載日 2013年6月10日
研究者
  • 西岡 賢祐
  • 伊藤 拓也
技術名称 シリコン酸化膜のパターニング方法
技術概要 本発明のシリコン酸化膜のパターニング方法は、基板上に印刷法により油性インクのパターンを形成する工程と、前記油性インクのパターンが形成された基板上に有機ケイ素ポリマーを塗布する工程と、前記基板上に形成された前記有機ケイ素ポリマーをオゾンにより酸化してシリコン酸化膜を形成すると共に、前記油性インクが分解されることにより油性インクのパターン上のシリコン酸化膜を剥離し、前記油性インクのパターンとは逆のパターン形状を有するシリコン酸化膜のパターンを形成する工程と、前記シリコン酸化膜のパターンが形成された基板を洗浄して、前記分解した油性インクおよび剥離したシリコン酸化膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ フォトリソグラフィー法によることなく、パターニングされたシリコン酸化膜を簡便な方法で安価に形成する。
油性インクを使用して印刷法によりパターンを塗布するので、微細なパターンを精度よく大量に形成することができる。すなわち、本発明によれば、シリコン酸化膜のパターニング工程は簡単かつ短時間になり、製品の生産効率が向上でき、かつ、微細加工が可能であって、大量生産に適している。それだけでなく、フォトリソグラフィ工程の排出する排出熱量および廃棄物が削減できるために、環境負荷も少なくし得る。
用途利用分野 半導体集積回路、薄膜トランジスタ、平面表示装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 宮崎大学, . 西岡 賢祐, 伊藤 拓也, . シリコン酸化膜のパターニング方法. 特開2012-049343. 2012-03-08
  • H01L  21/316    

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