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選択成膜方法、成膜装置、及び構造体

シーズコード S130011950
掲載日 2013年6月10日
研究者
  • 白谷 正治
  • 古閑 一憲
  • 堀 勝
  • 関根 誠
  • 節原 裕一
技術名称 選択成膜方法、成膜装置、及び構造体
技術概要 主面にトレンチとポストが形成された基板上に、選択的に炭素を有した膜を、プラズマCVD法により堆積する選択成膜方法は、基板を設置する反応室において、第1電力により、膜の原料ガスのプラズマを生成し、反応室と連通し、区画された補助空間において、第2電力により、基板に対してエッチング性を有するガスのプラズマを生成して、反応室に、イオン及びラジカルを供給し、反応室において、基板の主面に垂直方向に電界を発生させるバイアス電圧を制御して、基板のポストの上面、トレンチの側面及び底面に至るイオン量を制御し、第1電力、第2電力、バイアス電圧を制御することにより、基板のポストの上面、トレンチの側面及び底面のうちの選択された1つの面、又は、2つの面に対して、膜を成膜する。この方法により上記の製膜制御ができることを実験により示した。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ ポストの上面、トレンチの側面及び底面の3面において、少なくとも1面に、選択的に炭素を含む膜を成膜する選択成膜技術を提供する。
この成膜方法により、特に、ポストの上面やトレンチの底面、ポスト又はトレンチの側面にのみ成膜し、他の部分には成膜しない選択成膜を実現できる。これを、基板上に形成されパターニングされたフォトレジストによるポストとトレンチ構造に適用し、ポストの上面であるフォトレジストの上面にのみ炭素を含む膜を成膜して、マスクのドライエッチングによる耐性を向上させることができ、また上記の部分にのみ炭素を有する薄膜を形成した新規構造体としても利用できる。
用途利用分野 炭素含有膜の選択成長装置、微小電気機械素子(MEMS、NEMS)表面の機能性薄膜堆積用、大規模集積回路の配線用、極端紫外線解像限界を超えた超微細構造形成用、及び微少構造体表面の修飾用等の炭素を有する薄膜を有した新規構造体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人九州大学, 国立大学法人名古屋大学, 国立大学法人大阪大学, . 白谷 正治, 古閑 一憲, 堀 勝, 関根 誠, 節原 裕一, . 選択成膜方法、成膜装置、及び構造体. 特開2012-079819. 2012-04-19
  • H01L  21/205    
  • H01L  21/31     
  • H01L  21/314    
  • C23C  16/04     
  • H01L  21/3065   

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