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レジストパターンの形成方法

シーズコード S130011962
掲載日 2013年6月10日
研究者
  • 堀内 敏行
技術名称 レジストパターンの形成方法
技術概要 基板に感光性物質を付着させる工程と、ディスペンサを使って、前記感光性物質上に遮光液によって露光光線の透過率が50%以下となる遮光パターンを直接描画して形成する工程と、前記遮光パターンをマスキング材料として前記感光性物質を露光する工程と、該感光性物質を現像して該感光性物質の感光部または未感光部を除去し、該感光性物質のパターンを得る工程、とを含むことを特徴とする。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 高価な従来のリソグラフィ用露光装置を用いることなく、高価なリソグラフィ用原図基板を用意することなく、平面度があまり良くない被露光物にも、場合によっては曲面の被露光物やフレキシブルな被露光物にも、最小寸法が数μm~数100μm程度で、膜厚が厚い、例えば20μm以上のレジストパターンを容易に形成できる方法を新たに提供すること。
ディスペンサやインクジェットプリンタによって描いたり、スクリーン印刷したりして得た、厚さが薄くて不均一で、断面側壁がなだらかなパターンを基に、均一厚さの厚い感光性物質パターンを得ることができる。ディスペンサやインクジェットプリンタによってパターンを描くか、スクリーン印刷によってパターンを形成するため、投影露光装置、マスクアライナなどの高価な従来のリソグラフィ用露光装置を用いることなく、また、マスクやレチクルなどの高価な原図基板を用意することもなく、最小寸法が数μm~数100μm程度で20μm程度以上の膜厚を有する感光性物質パターンを安価、簡便に形成することができる。
用途利用分野 リソグラフィ装置、半導体集積回路、光エレクトロニクスデバイス、液晶パネル、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム(MEMS)、センサ、アクチュエータ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京電機大学, . 堀内 敏行, . パターンの形成方法. 特開2012-048183. 2012-03-08
  • G03F   7/20     
  • H01L  21/027    
  • B81C   1/00     

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