TOP > 技術シーズ検索 > ウルツ鉱圧電体薄膜、該薄膜の製造方法及び製造装置、並びに薄膜共振子

ウルツ鉱圧電体薄膜、該薄膜の製造方法及び製造装置、並びに薄膜共振子

シーズコード S130012093
掲載日 2013年6月10日
研究者
  • 柳谷 隆彦
  • 鈴木 雅視
  • 渡辺 好章
技術名称 ウルツ鉱圧電体薄膜、該薄膜の製造方法及び製造装置、並びに薄膜共振子
技術概要 ウルツ鉱圧電体薄膜は、薄膜に対する法線とc軸が成す角である傾斜角が、縦波に関する圧電定数e33がゼロになる臨界傾斜角よりも大きく、且つ90°未満であり、エピタキシャル成長法以外の方法により作製されたものである。ウルツ鉱圧電体薄膜の両面に電極を設けた薄膜共振子は、第1の圧電体層と第2の圧電体層を重ねて上下電極の間に設けたものであり、a)第1圧電体層の分極ベクトルである第1分極ベクトル及び第2圧電体層の分極ベクトルである第2分極ベクトルが第1圧電体層及び第2圧電体層に平行な面の法線に対して傾斜するように配向しており、b)第1分極ベクトルの面への射影が第2分極ベクトルの面への射影と逆方向であって且つ横波に関する圧電定数の正負が第1圧電体層と第2圧電体層で同じであるか、又は第1分極ベクトルの面への射影が第2分極ベクトルの面への射影と同方向であって且つ横波に関する圧電定数の正負が第1圧電体層と第2圧電体層で逆であり、c)第1分極ベクトルの法線への射影が第2分極ベクトルの法線への射影と同方向であり且つ縦波に関する圧電定数の正負が第1圧電体層と前記第2圧電体層で逆である。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2010-270539.gif
研究分野
  • 圧電気,焦電気,エレクトレット
展開可能なシーズ 酸化亜鉛(ZnO)や窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、炭化シリコン(SiC)、窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)等のウルツ鉱型の結晶構造を有する材料から成る薄膜、薄膜向けの製造方法及び装置、並びにこの薄膜を用いて作製することが可能な薄膜共振子である。ウルツ鉱圧電体薄膜では、ウルツ鉱圧電体薄膜のc軸がどの方向に配向しているかという点が重要となるが、従来は垂直配向及び平行配向以外のウルツ鉱圧電体薄膜に関してはほとんど検討されていなかった。そこで、垂直配向型及び平行配向型以外の配向を有するウルツ鉱圧電体薄膜であり、その配向により従来にない特性が得られるウルツ鉱圧電体薄膜を提供する。
この薄膜は、垂直配向のウルツ鉱型結晶薄膜とは逆位相の縦波振動が生じるという、従来にない特性を有するウルツ鉱圧電体薄膜及びそれを用いた薄膜共振子が得られる。この薄膜は、2層構造の薄膜共振子により、2次モードの縦波振動を得ることができ、それにより、周波数を高くするか、又は耐電力性及び機械的強度を高くすることができる。
用途利用分野 ウルツ鉱圧電体薄膜、ウルツ鉱薄膜製造装置、ウルツ鉱薄膜共振子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 名古屋工業大学, 学校法人同志社, . 柳谷 隆彦, 鈴木 雅視, 渡辺 好章, . 薄膜共振子. 特開2012-116736. 2012-06-21
  • C30B  29/38     
  • C30B  23/08     
  • C23C  14/48     
  • H03H   9/17     
  • H03H   3/02     

PAGE TOP