TOP > 技術シーズ検索 > 半導体素子及び固体撮像装置

半導体素子及び固体撮像装置

シーズコード S130012208
掲載日 2013年6月10日
研究者
  • 川人 祥二
技術名称 半導体素子及び固体撮像装置
技術概要 固体撮像装置の画素の一部となる半導体素子の構成は、p型の半導体領域21と、半導体領域21に埋め込まれたn型の受光用表面埋込領域23と、受光用表面埋込領域23に連続し、受光用表面埋込領域23よりもポテンシャル井戸が深いn型の電荷蓄積領域24と、電荷蓄積領域24が蓄積した電荷を読み出す電荷読み出し領域と、受光用表面埋込領域23から電荷を排出する排出ドレイン領域25と、受光用表面埋込領域23から排出ドレイン領域25へ電荷を排出する第1の電位制御手段31、30と、電荷蓄積領域24から電荷読み出し領域へ電荷を転送する第2の電位制御手段32、30を備える。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2010-544171.gif
研究分野
  • 測光と光検出器一般
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 画素の構造が簡単で高解像度化が可能であり、高速転送が可能で時間分解能が向上した固体撮像装置(ロックインイメージセンサ)及びこの固体撮像装置のセンサ要素(画素)として用いることの可能な半導体素子を提供する。
2段転送による電子シャッタ機能を有し、空間解像度を得ることができる固体撮像装置を標準的なCMOSプロセスで実現可能となる。
用途利用分野 固体撮像装置、TOF距離画像センサ、バイオイメージング装置、時間相関イメージセンサ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人静岡大学, . 川人 祥二, . 半導体素子及び固体撮像装置. . 2012-06-21
  • H01L  27/146    
  • H04N   5/374    

PAGE TOP