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導電性パターンの形成方法および基板装置

シーズコード S130012286
掲載日 2013年6月10日
研究者
  • 小林 大造
  • 小西 聡
技術名称 導電性パターンの形成方法および基板装置
技術概要 基板装置の電極を構成するパイロポリマーからなる導電性パターン30に対応する初期パターンを、耐熱性基材21上にパイロポリマーの前駆体ポリマーによって形成し、この初期パターンを酸素欠乏雰囲気下に加熱して、パイロポリマーからなる導電性パターン30を形成し、耐熱性基材21と低耐熱性基板41とを、加熱して軟化させた状態で、圧接させて、当該耐熱性基材21上に形成された導電性パターン30を低耐熱性基板41の表面に転写する。
画像

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研究分野
  • プリント回路
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 高純度のカーボン材料からなる導電性パターンを形成することができる導電性パターンの形成方法およびこの導電性パターンを有する基板装置ならびに低コストで製造することができ、かつ優れた導電性能を発現することができる基板装置を提供する。
耐熱性の比較的低いポリマーフィルム等の基板に、高純度のカーボン材料からなる導電性パターンを形成することができる。また、この基板装置は、低コストで製造することができ、かつ優れた導電性能を発現することができる。
用途利用分野 カーボン接点スイッチ、フレキシブルディスプレイ、フレキシブルカーボン太陽電池、燃料電池、電気2重層キャパシター
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人立命館, . 小林 大造, 小西 聡, . 導電性パターンの形成方法および基板装置. 特開2011-238896. 2011-11-24
  • H05K   3/20     
  • H05K   3/12     

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