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不揮発性光メモリ、光記憶装置、ネットワークルータ

シーズコード S130012390
掲載日 2013年6月10日
研究者
  • 池田 和浩
  • 黄 晋二
  • 河口 仁司
技術名称 不揮発性光メモリ、光記憶装置、ネットワークルータ
技術概要 不揮発性光メモリ10は、右回りまたは左回りの円または楕円偏光で情報を表した光信号の情報を書込み、右回りまたは左回りの円または楕円偏光で情報を表した光信号(レーザー光)として読 出す光メモリである。光信号の情報「1」を書込む場合、不揮発性光メモリ10は、GaAs基板1と強磁性電極5との間に逆バイアス方向(強磁性電極5側に正、GaAs基板1を負)の電圧を印加することで、半導体活性層3に生成した「ダウン」のスピン偏極状態の電子20を強磁性電極5に流入させる。不揮発性光メモリ10は、強磁性電極5に「ダウン」のスピン偏極状態の電子20が流入すると、流入した「ダウン」のスピン偏極状態の電子20により、強磁性電極5を「ダウン」のスピン偏極状態の方向(半導体活性層3の表面に対して垂直方向の下向き)に磁化して、光信号の情報「1」を強磁性電極5の磁化方向として書込む。光信号の情報は、強磁性電極5の磁化方向として書込むので、書込んだ強磁性電極5の磁化方向を保持するためのバイアス電力が不要で、光信号の情報を記憶させておくための電力を消費する必要がない。
画像

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研究分野
  • 集積回路一般
展開可能なシーズ 光信号の情報の書込み、および読出しを高速に行なうことができ、光信号を生成するための別途光源を必要としない不揮発性光メモリを提供する。
この不揮発性光メモリは、書込んだ強磁性電極の磁化方向を持するためのバイアス電力が不要で、光信号の情報を記憶させておくための電力を消費する必要がない。また、不揮発性光メモリは、光信号の情報を書込んだ強磁性電極の磁化方向に対応したスピン偏極状態の電子を発光領域の半導体活性層に注入し、注入した電子のスピン偏極状態に対応した右回りまたは左回りの円または楕円偏光のレーザー光を発して、光信号の情報を読出すので、不揮発性光メモリの発光領域から発するレーザー光を直接、光信号として利用することができ、光信号を生成する時間を短縮して、光信号の情報の読出しを高速に行なうことができ、光信号を生成するための別途光源を必要としない。
用途利用分野 光ルータ、不揮発性光メモリ、光記憶装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学, . 池田 和浩, 黄 晋二, 河口 仁司, . 不揮発性光メモリ、光記憶装置、ネットワークルータ. 特開2012-209382. 2012-10-25
  • H01L  21/8246   
  • H01L  27/105    
  • H01L  29/82     

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