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リン系化合物半導体の製造方法

シーズコード S130012412
掲載日 2013年6月11日
研究者
  • 野瀬 嘉太郎
  • 藤川 皓太
  • 宇田 哲也
技術名称 リン系化合物半導体の製造方法
技術概要 このリン系化合物半導体の製造方法は、リン系化合物半導体の原料としてスズと三リン化四スズとの混合物を用い、混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱し、発生したリンの蒸気をリンとの反応によって半導体を形成する金属の表面に接触させる。リンとの反応によって半導体を形成する金属は、亜鉛、インジウム、ガリウムおよびアルミニウムからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属、またはこの金属とケイ素、ゲルマニウムおよびスズからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属との合金であるこのが好ましい。
画像

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研究分野
  • 無機工業薬品,無機材料
展開可能なシーズ 従来、リン系化合物半導体を製造する際には、リンの供給源としてホスフィン(PH3)が用いられている。しかし、ホスフィンやオキシ塩化リンは、いずれも人体に対する毒性が強く、室温で気体または液体であり、取り扱いに注意を払う必要があるため、これらの化合物を使用しないでリン系化合物半導体を製造することが望まれている。そこで、リン系化合物半導体の原料としてホスフィンおよびオキシ塩化リンを使用しないで、高圧に加圧することなく、効率よくリン系化合物半導体を製造することができるリン系化合物半導体の製造方法を提供する。
このリン系化合物半導体の製造方法は、人体に対して悪影響を与えるおそれがあるホスフィンおよびオキシ塩化リンを使用せずに、高圧に加圧しなくてもリン系化合物半導体を効率よく製造することができ、さらにリンの供給源であるスズと三リン化四スズとの混合物の温度を制御するだけでリン蒸気の分圧を制御することができるので、工業的生産性に優れたリン系化合物半導体の製造方法であるといえる。
用途利用分野 リン系化合物半導体、太陽電池素子、光通信デバイス用基板
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人京都大学, . 野瀬 嘉太郎, 藤川 皓太, 宇田 哲也, . リン系化合物半導体の製造方法. 特開2012-201545. 2012-10-22
  • C23C  14/06     
  • C23C  14/24     
  • C23C   8/08     

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