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単結晶薄膜の形成方法

シーズコード S022000363
掲載日 2003年5月26日
研究者
  • 西永 頌
研究者所属機関
  • 東京大学 大学院工学系研究科
研究機関
  • 東京大学 大学院工学系研究科
技術名称 単結晶薄膜の形成方法
技術概要 この技術は、低角度入射ビームを用い、気相成長において大きな横方向成長を可能にしたもので、単結晶基板1に非晶質膜2を堆積し、そこに開口部3を設け減圧下において原子ビーム又は分子ビーム6を基板表面に対し40゜以下の低角度で入射させ開口部から上方にエピタキシャル成長を開始し、次いで横方向に成長させることを特徴とする単結晶薄膜の形成方法である。
画像

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従来技術、競合技術の概要 ヘテロエピタキシにおいて高品質単結晶薄膜を必要とする分野では、従来二段階成長法が用いられて来た。絶縁膜上の半導体単結晶薄膜(SOI構造)の分野ではSIMOX法、はり合せ法がある。
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 酸化物薄膜
  • 半導体薄膜
  • 無機化合物の薄膜
展開可能なシーズ (1)非晶質膜をマスクとする選択成長で横方向成長を可能にした薄膜形成方法
(2)原子ビーム又は分子ビームを基板に対し40゜以下の角度で入射する薄膜形成技術
(3)格子定数差の大きいヘテロエピタキシにおいて転位密度を大巾に減少できる技術
用途利用分野 ヘテロエピタキシにおいて高品質単結晶薄膜を必要とする分野
絶縁膜上の半導体単結晶薄膜(SOI構造)
関連発表論文 (1)鈴木喜之, 西永つぐ. LPE横方向成長によるSOI技術. 電子情報通信学会技術研究報告. vol.88,no.162,1988,p.31‐36(SDM88‐51).
(2)西永たたう, 高柳俊成. SiのLPE横方向エピタキシャル成長. 日本結晶成長学会誌. vol.14,no.1,1987,p.96.
(3)西永たたう. 化学気相法による薄膜成長その特徴と考え方. 表面談話会・コロイド懇話会. vol.21,no.11,1983,p.667‐682.
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京大学, . 西永 頌, . 単結晶薄膜の形成方法. 特開2000-247798. 2000-09-12
  • C30B  29/40     

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