TOP > 技術シーズ検索 > 単結晶部材の作製方法

単結晶部材の作製方法

シーズコード S022000364
掲載日 2003年5月26日
研究者
  • 西永 頌
研究者所属機関
  • 東京大学 大学院工学系研究科
研究機関
  • 東京大学 大学院工学系研究科
技術名称 単結晶部材の作製方法
技術概要 この技術では、種結晶表面を非晶質膜2でおおい、一部に線状の窓を開け、窓部3からたて方向に多数の板状単結晶部材4を成長させることにより低欠陥かつ表面平坦性に優れた基板結晶を作製した。現在は溶液成長を用いているが、成長法はこれに限らず、気相成長および融液成長によっても作製が可能である。特に半導体基板の作製に効果があるが、酸化物をはじめその他の絶縁物基板結晶の作製にも有効である。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

S022000364_01SUM.gif S022000364_02SUM.gif S022000364_03SUM.gif
従来技術、競合技術の概要 従来、基板結晶は大型結晶を成長させ、これを切断、研磨することにより得ていた。
研究分野
  • 金属の結晶成長
  • 酸化物の結晶成長
  • 結晶成長技術・装置
  • 半導体の結晶成長
展開可能なシーズ (1)選択成長法によりたて方向に板状結晶を成長させる技術
(2)転位は板状結晶の外に出てしまうので無転位結晶が得られる方法
(3)特異面を用いて表面を平坦化できる技術
用途利用分野 半導体基板を用いるすべての産業
光・電子デバイス用基板
太陽電池・ディスプレー用基板
関連発表論文 (1)西永たたう, 河東田隆, 浅田邦博, 岸真人, 菅野卓雄, 斉藤制海. 微小重力下でのシリコンの融液成長. 日本結晶成長学会誌. vol.21,no.4,1994,p.451‐459.
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京大学, . 西永 頌, . 単結晶部材の作製方法. 特開2001-019589. 2001-01-23
  • C30B  19/04     

PAGE TOP