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レーザーアブレーション成膜装置および成膜方法(国内優先権主張出願) 新技術説明会

シーズコード S032000368
掲載日 2003年10月1日
研究者
  • 吉武 剛
研究者所属機関
  • 九州大学 大学院総合理工学研究院融合創造理工学部門
研究機関
  • 九州大学 大学院総合理工学研究院融合創造理工学部門
技術名称 レーザーアブレーション成膜装置および成膜方法(国内優先権主張出願) 新技術説明会
技術概要 本発明は、特許法第41条に基づき同一発明者の特願2001-165793(2001.5.31出願)の内容に関し国内優先権主張出願をしようとするものである。その後の研究の進展により、前回出願(特願2001-165793)の成膜装置および成膜方法により、高品質のアモルファスFeSi2膜が作製できることが判ったので、これらの内容に関する実施例および請求内容を追加し、併せて前回内容の関連する部分の修正をしようとするものである。本発明は、レーザーアブレーション法を用いて薄膜作製を行う際に、生成膜に多数付着し膜の特性を損なうドロップレットを除去する技術に関係する。例えば良質な電気特性を有するβ-FeSi2薄膜の作製の際には、半導体相であるβ-FeSi2の積層化などにとって、金属的性質を示すドロップレットは大きな障害となる。ドロップレットは質量が大きく通常のアブレーション粒子に比べて速度が小さいと考えられる。そこで本発明は、羽根型回転フィルターを作製して、基板堆積前のドロップレットを捕獲するものであり、ドロップレットの基板への飛来を防止するものである。羽根型回転フィルターは高速回転させるものであり、回転軸は粒子飛来方向に並行に設置され、回転軸に沿ってお互いに3.6度をなす板が放射状に100枚取り付けられて、数1000rpmで回転させる。この方法により、β-FeSi2薄膜の作製の大きな障害になっていたドロップレットの堆積を完全に防ぐことができる。前回の出願ではβ-FeSi2膜作製を実施例として説明したが、ドロップレット除去により高品質の膜ができるようになり、レーザーフルーエンスとターゲット基板間距離によって決まる基板温度を切り替えることにより高品質のアモルファスβ-FeSi2も作製できるようになった。
研究分野
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ (1)レーザアブレーション法による薄膜作成による特性向上の方法
用途利用分野 光ディスプレイ用材料
太陽電池用材料

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