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カーボン系薄膜除去装置

シーズコード S040000115
掲載日 2006年8月25日
研究者
  • 和泉 亮
研究者所属機関
  • 北陸先端科学技術大学院大学
研究機関
  • 北陸先端科学技術大学院大学
技術名称 カーボン系薄膜除去装置
技術概要 本技術は、加熱した触媒による接触分解反応により生成したアンモニア分解種を用いたフォトレジスト除去およびフォトレジスト周辺材料の表面改質を行うものである。高濃度にイオン注入されたフォトレジストは従来法である酸素プラズマアッシング法では十分除去できない問題があった。本技術は、プラズマを用いずかつ酸素も用いずにその除去を実現させた。
従来技術、競合技術の概要 酸素プラズマアッシングは高濃度イオン注入レジスト除去は不可である。また、レジスト周辺材料の酸化やプラズマダメージを引き起こす。
研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ (1)プラズマ・酸素フリープロセスであるため、周辺材料を劣化させないレジスト除去法
(2)装置コストが低い方法
(3)地球環境にやさしいプロセス
用途利用分野 フォトレジスト除去装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 和泉 亮, 松村 英樹, . 表面改質方法. 特開2003-347241. 2003-12-05
  • H01L  21/30     

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