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スピンバルブトランジスタ

シーズコード S040000143
掲載日 2006年8月25日
研究者
  • 柴富 昭洋
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団  戦略的創造推進事業部 樽茶多体相関場プロジェクト
研究機関
  • 科学技術振興事業団
技術名称 スピンバルブトランジスタ
技術概要 GaAs結晶基板上にPN接合電子倍増層のGaAs結晶層からなるコレクター、その上に磁性体Fe結晶ベース層、誘電体AI2O3酸化膜バリア層とCo磁性体層からなるエミッタ層構造 エミッタ側にトンネル障壁を設けること、コレクター側にPN接合のアバランシェ電子倍増層を入れることにより、トンネル磁気抵抗(TMG)変化の大幅な向上による信号レベルの減少を抑えて、信号対雑音比を高めることができ、またアバランシェ電子倍増層のコレクター電流を大幅に増幅することが可能なトランジスタである。ホットエレクトロン注入による出力信号増強が可能である。注入ホットエレクトロンのアップスピンとダウンスピンの選択性がある
従来技術、競合技術の概要 エミッタに誘電体障壁がない、またコレクタにpn接合アバランシェ障壁がない。アップスピンとダウンスピンの選択性がない磁気抵抗効果素子。
研究分野
  • トランジスタ
  • 磁電デバイス
展開可能なシーズ (1)高い磁気抵抗効果
(2)出力電流レベルを従来より5~10倍向上できるスピンバルブトランジスタ
(3)アップスピンとダウンスピンの選択性
用途利用分野 再生磁気ヘッド
磁気メモリ回路
研究制度
  • 樽茶多体相関場プロジェクト/科学技術振興機構
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人産業技術総合研究所, . 佐藤 俊彦, 秋永 広幸, 本田 元就, 樽茶 清悟, 大野 圭司, 横山 浩, . スピンバルブトランジスタ. 特開2003-188390. 2003-07-04
  • H01L  29/82     
  • H01L  43/08     

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