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光学結晶または磁性酸化物基板上への単結晶半導体成長

シーズコード S040000184
掲載日 2006年8月25日
研究者
  • 藤岡 洋
研究者所属機関
  • 東京大学 大学院工学系研究科応用化学専攻
研究機関
  • 東京大学 大学院工学系研究科応用化学専攻
技術名称 光学結晶または磁性酸化物基板上への単結晶半導体成長
技術概要 光学結晶や磁性結晶などの機能性酸化物単結晶基板を原子レベルで平坦化して、AlNバッファー層を介して半導体結晶を成長させることによって高品質半導体を酸化物基板上に得る。これによって基板の特徴を生かした酸化物デバイスと半導体デバイスを高密度に集積化した新機能デバイスが実現できる。
従来技術、競合技術の概要 酸化物素子と半導体デバイスのはり合わせ技術
研究分野
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ (1)基板の特徴(光スイッチ、磁性等)と半導体を組み合わせた新しいデバイスを実現する方法
用途利用分野 光コンピューター
光通信素子
高感度磁気センサー
関連発表論文 (1)伊藤真吾, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治. PLD法によるMnO基板上へのGaN薄膜成長 AlNバッファー層の効果. 応用物理学関係連合講演会講演予稿集. Vol.49th,no.1,2002,p.364.
(2)平戸克幸, 伊藤真吾, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治. PLD-AlNバッファー層を用いた酸化物基板上へのGaAs成長. 応用物理学関係連合講演会講演予稿集. Vol.49th,no.1,2002,p.363.
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 藤岡 洋, 尾嶋 正治, . 酸化物基板上への集積回路装置の製造方法及び装置. 特開2004-087814. 2004-03-18
  • H01L  21/203    
  • C23C  14/28     
  • H01S   5/026    
  • H01S   5/323    

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