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カーボンナノチューブの成長方法

シーズコード S040000321
掲載日 2006年9月1日
研究者
  • 大野 雄高
研究者所属機関
  • 名古屋大学
研究機関
  • 名古屋大学
技術名称 カーボンナノチューブの成長方法
技術概要 所望の位置に容易にカーボンナノチューブトランジスタを構成するためのカーボンナノチューブの成長方法を提供する。 半導体基板上にフォトリソグラフィー等によりレジストパタンを形成し、触媒金属の蒸着・リフトオフにより触媒パタンを形成する。触媒金属は、白金やコバルト等の多層構造とする。その後、加熱処理を行う。加熱条件は例えば800℃、5分である。カーボンナノチューブの成長は熱CVD法により行う。
従来技術、競合技術の概要 従来、カーボンナノチューブの成長では触媒として金属粉を用い、成長炉や触媒に付着したカーボンナノチューブを含む粉塵を集め、精製することによりカーボンナノチューブ束が得られる。この方法で得られたカーボンナノチューブをトランジスタなどの電子素子に応用する場合、基板上の所望の位置に単一のカーボンナノチューブを配置することは極めて難しい。
研究分野
  • 分子の性質一般
展開可能なシーズ (1)所望の位置にカーボンナノチューブを成長させる方法
(2)パターニングした多層金属を触媒とする方法
(3)触媒金属を加熱処理する方法
用途利用分野 トランジスタ
集積回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 大野 雄高, 水谷 孝, . カーボンナノチューブの成長方法. 特開2003-277033. 2003-10-02
  • C01B  31/02     
  • B01J  23/89     
  • B82B   3/00     
  • C23C  16/26     

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