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ニッケル・シリコン化合物及びニッケル・シリコン・ゲルマニウム化合物の製造方法及びニッケル・シリコン化合物膜及びニッケル・シリコン・ゲルマニウム化合物膜

シーズコード S040000336
掲載日 2006年9月1日
研究者
  • 安田 幸夫
研究者所属機関
  • 名古屋大学
研究機関
  • 名古屋大学
技術名称 ニッケル・シリコン化合物及びニッケル・シリコン・ゲルマニウム化合物の製造方法及びニッケル・シリコン化合物膜及びニッケル・シリコン・ゲルマニウム化合物膜
技術概要 Si上のNiあるいはNiSi層に加えてSi1-xGexあるいはGeを添加・挿入することによって、より高温の熱処理工程においてもNiSiあるいはNi(Si1-yGey)層からNiSi2への相転移を抑制できる。本発明によって、電子素子電極材料として優れた点をもつNiSiの応用範囲が拡張できる。
従来技術、競合技術の概要 Si上へのNiの蒸着及び熱処理の工程を経てNiSi膜が形成される。しかし、この方法では700℃程度の高温の熱処理工程によってNiSiがより高抵抗なNiSi2へと相転移してしまうため、NiSiの材料としての熱的安定性に問題が残っている。
研究分野
  • 無機化合物の薄膜
  • 電気・電子部品
展開可能なシーズ (1)ごく簡素な工程及び構造の改良によって、従来の方法で作製したNiSiと比較して、より高温においてもNiSi(あるいはNi(Si1-yGey))の状態が保持可能となる薄膜製造技術
(2)ニッケルシリコン系薄膜の製造技術
用途利用分野 半導体デバイス工学
電子素子電極
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人名古屋大学, . 安田 幸夫, 財満 鎭明, 酒井 朗, 中塚 理, 土屋 義規, . 素子電極用のニッケルシリコン系薄膜の作製方法、及び素子電極用の多層膜構造. 特開2003-324078. 2003-11-14
  • H01L  21/28     

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