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炭素を導入したニッケル・シリコン化合物の製造方法及び炭素によるニッケル・シリコン化合物膜の性能改善

シーズコード S040000359
掲載日 2006年9月1日
研究者
  • 財満 鎭明
研究者所属機関
  • 名古屋大学
研究機関
  • 名古屋大学
技術名称 炭素を導入したニッケル・シリコン化合物の製造方法及び炭素によるニッケル・シリコン化合物膜の性能改善
技術概要 シリコン上のニッケルあるいはニッケル・シリコン化合物膜に加えて炭素あるいは炭素を含むシリコン膜を添加あるいは挿入することによって、より高温の熱処理工程においてもニッケル・シリコン化合物結晶の凝集による膜の不均一化を防ぎ、高抵抗化を抑制できる。本発明によって、電子素子電極材料として優れた点をもつニッケル・シリコン化合物膜の応用範囲が拡張できる。
従来技術、競合技術の概要 シリコン上へのニッケルの蒸着熱処理の工程を経て低抵抗ニッケル・シリコン化合物膜が形成されるが、これはより高温の熱処理で凝集し不均一で高抵抗な膜となってしまう為、熱的な安定性に問題が残っている。
研究分野
  • 無機化合物の薄膜
  • 電気・電子部品
展開可能なシーズ (1)ごく簡素な工程及び構造の改良によって、従来の方法で作製したニッケル・シリコン化合物膜と比較して、より高温の熱処理後においても平坦かつ均一なNiSi薄膜の状態保持が可能となる電極材料の作成方法
用途利用分野 半導体デバイス工学
電子素子の電極材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人名古屋大学, . 財満 鎭明, 安田 幸夫, 酒井 朗, 中塚 理, 土屋 義規, . ニッケルシリコン系薄膜、ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法. 特開2004-040013. 2004-02-05
  • H01L  21/28     
  • H01L  21/3205   
  • H01L  23/52     

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