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青色半導体発光素子

シーズコード S040000363
掲載日 2006年9月1日
研究者
  • 伊藤 国雄
  • 中村 重之
研究者所属機関
  • 津山工業高等専門学校
  • 津山工業高等専門学校
研究機関
  • 津山工業高等専門学校
技術名称 青色半導体発光素子
技術概要 次世代HD:DVDや「21世紀のあかり」として研究されているInGaNを用いた青色発光素子は基板としてサファイアや非常に高価なGaN単結品を用いている。これらが低コストで実現されるためには基板として安価なSiを用いるのが望ましいが、InGaNとの格子ミスマッチのため従来は良好な結晶ができなかった。本発明はSi基板を用いて青色発光素子結晶を作る方法及びその素子に関してのものである。
従来技術、競合技術の概要 Si基板を用いたInGaN単結晶製法は従来例はなし。
研究分野
  • 半導体レーザ
  • 発光素子
展開可能なシーズ (1)SiとInGaNとの格子ミスマッチを緩和するための、II-III-VI、I-III-VI、II-IV-V化合物とGa、Nを含んだ化合物とからなるバッファ層
用途利用分野 青色半導体レーザ(HD:DVD光源)
青色LED(R、G、BランプのBランプ用)
蛍光体と組み合わせた白色LED(21世紀のあかり)
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人国立高等専門学校機構, . 伊藤 國雄, 中村 重之, . シリコン基板上に結晶性の優れた窒化物半導体層を形成する方法および窒化物半導体発光素子. 特開2004-063762. 2004-02-26
  • H01L  33/00     
  • C23C  16/18     
  • C30B  29/38     
  • H01L  21/205    
  • H01S   5/323    

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