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高性能フレキシブルディスプレイを目指した多結晶Siの低温大粒径化技術 新技術説明会

シーズコード S080000050
掲載日 2008年7月18日
研究者
  • 河本 直哉
研究者所属機関
  • 国立大学法人山口大学 工学部 電気電子工学科
研究機関
  • 国立大学法人山口大学
技術名称 高性能フレキシブルディスプレイを目指した多結晶Siの低温大粒径化技術 新技術説明会
技術概要 結晶成長で重要な役割を果たす結晶粒界のみを選択加熱できる可視レーザ光を利用することにより、多結晶Si粒の大粒径化を低温でおこなう技術を開発した。本技術は、プロセス温度が高いため難しかったプラスチック等を基板としたSi系半導体による高性能フレキシブルディスプレイへの実現を目指すものである。
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従来技術、競合技術の概要 フレキシブルディスプレイにおける薄膜トランジスタ材料として注目されている有機半導体は、多結晶Siと比べて電子移動度が数百倍も遅いことや、CMOS 回路が構成できないことから、ディスプレイ上に周辺回路を組み込むシステム化の実現にはかなりの時間を要する。本技術は、石英(、ならびにガラス)基板で既に実績のある多結晶Siを用いることで、そのシステム化を短期間で可能とするものである。
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • レーザ一般
展開可能なシーズ ・可視レーザ照射による結晶粒界部分加熱: 結晶成長の低温での効率向上
・紫外、可視領域のパルスレーザ照射による結晶成長: 結晶成長を小分けにおこなうことで低温化プロセスを実現
・触媒物質を用いない(可視レーザ光が結晶成長の触媒作用): 不純物の影響がない
用途利用分野 液晶、EL、LED、E-Inkなどを用いたフラットパネルディスプレイ、もしくはフレキシブルディスプレイ
多結晶シリコン系太陽電池(フレキシブルにも対応可能)
RFID、ICタグ、集積回路などのクレジットカード、もしくはプラスティック製家電筐体等への直接作製
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人山口大学, . 河本 直哉, 三好 正毅, . レーザによるシリコン結晶成長方法. 特開2008-270510. 2008-11-06
  • H01L  21/20     
( 2 ) 国立大学法人山口大学, . 河本 直哉, 三好 正毅, . 多結晶シリコン結晶粒界改質方法及び装置. 特開2009-231746. 2009-10-08
  • H01L  21/20     

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