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非晶質炭素膜成形体及びその製造方法

シーズコード S090000188
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 岩村 栄治
技術名称 非晶質炭素膜成形体及びその製造方法
技術概要 低エネルギー電子線照射によって形成されるグラファイト構造を有するクラスターを、炭素の非晶質ネットワークを主体とする薄膜構造中に内包する非晶質炭素膜成形体であって、0.1at%以上、4at%以下のYを含む希土類元素、もしくはRu,Rh,Pd,Ir,Pt,Cu,Ag,Auの1種もしくは2種以上を含み、微細なグラファイトクラスターを、炭素の非晶質ネットワーク中に内包する。この非晶質炭素膜成形体は、低電子エネルギー損失分光スペクトル(LEELS)において4eVから9eVのエネルギー領域においてπプラズモンピークを有する。これらの非晶質炭素膜成形体の製造方法において、金属元素を添加した非晶質炭素薄膜に低エネルギーの電子線を照射し、グラファイト構造を有するクラスターを炭素の非晶質ネットワークを主体とする薄膜構造中に内包させる。また、この微細なグラファイトクラスターを炭素の非晶質ネットワーク中に内包する非晶質炭素膜成形体を、50keV以上の不活性ガスイオンやカーボンイオンによるイオン照射を伴った気相成膜法により形成した後に、100keVを越えないエネルギーを持った電子線を照射することが好ましい。
研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 非晶質炭素膜の機械的強度もしくは化学的安定性を劣化させることなく、導電性を付与することができる非晶質炭素膜成形体及びその製造方法を提供することを目的とする。
Yを含む希土類元素等の元素を添加した非晶質炭素薄膜に低エネルギーの電子線照射を行うことによりグラファイトクラスターの形成を促進させることができ、またこれらの元素の添加量を0.1at%以上、4at%以下に抑えることにより、添加元素がクラスタリングすることがなく、また、電子線照射による構造変化を局所的に抑えることができる。
用途利用分野 炭素膜成形体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 岩村 栄治, . 非晶質炭素膜成形体及びその製造方法. 特開2004-284915. 2004-10-14
  • C01B  31/02     
  • C23C  14/06     
  • C23C  14/58     

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