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pチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ

シーズコード S090000190
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 川原田 洋
技術名称 pチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ
技術概要 pチャンネル電界効果トランジスタにおいて、液体電解質をゲートとして使用し、水素終端、酸素終端及びアミノ終端が混合されたダイヤモンド表面をチャンネルとしている。この場合、多結晶CVDダイヤモンド基板11、P型表面伝導層(水素、酸素、アミノ基により終端された基板表面)12、ソース電極(Au)13、ドレイン電極(Au)14、ソース電極(Au)13を覆うエポキシ樹脂15、ドレイン電極(Au)14を覆うエポキシ樹脂16、電解質溶液17、ゲート電極(Ag/AgCl参照電極)18、酵素19、基質20である。そして、水素、酸素、アミノ基により終端された多結晶ダイヤモンド基板11の表面チャンネル12上で、電解質溶液ゲートFETを作製する。従って、P型表面伝導層(水素終端表面の一部がアミノ終端、酸素終端された基板表面)12には酵素19を直接固定することができ、この酵素19に電解質溶液17中の基質20を結合させることができる。
画像

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研究分野
  • トランジスタ
  • 分析機器
展開可能なシーズ 特に、ウレアーゼをFETチャンネル表面(ダイヤモンド表面)に直接固定することにより、尿素濃度の感応性を向上させることができるpチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサを提供する。
酵素をFETチャンネル表面(ダイヤモンド表面)に直接固定することにより、酵素の感応性を向上させることができるpチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサを提供する。
用途利用分野 化学センサ、バイオセンサ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 川原田 洋, . pチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ. 特開2004-294087. 2004-10-21
  • G01N  27/414    
  • H01L  29/78     

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