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半導体装置の製造方法および半導体装置

シーズコード S090000194
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 小林 光
技術名称 半導体装置の製造方法および半導体装置
技術概要 半導体基板表面に、絶縁膜の母体基板4を形成する絶縁膜母体基板形成工程と、絶縁膜の母体基板4上に、セシウムの単体またはセシウムを含む化合物を吸着させるCs吸着工程と、セシウムの単体またはセシウムを含む化合物が吸着した絶縁膜の母体基板4を加熱処理して、セシウムを含有する絶縁膜6を形成させる加熱処理工程とを有する。そして、この場合、Cs吸着工程における母体絶縁膜上へのセシウムの単体またはセシウムを含む化合物の吸着は、スピンコート法、真空蒸着、スパッター蒸着、電子ビーム蒸着、レーザーアブレーション、及びCVDから選ばれる少なくとも1つの方法で行われる。このため、セシウムが拡散した状態で含まれる絶縁膜6を備える。セシウムは大きな分子径を有しており、固定電荷として作用し、絶縁膜中に拡散して存在するセシウムの働きによって、半導体装置の閾値電圧を制御、または低下させる。
画像

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S090000194_01SUM.gif
研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 絶縁材料
展開可能なシーズ ゲート電極へのドーピングや他種類のゲート電極材料を用いることなしに、また、半導体へのイオン注入を用いることなく、簡便かつ確実に闘値電圧を低下、または制御することができる半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供する。
半導体基板にイオンの注入を行う場合のように、注入のダメージや汚染等により、半導体装置における移動度が低下するという問題点を回避でき、かつ、非常に簡便な方法で、半導体装置における闘値電圧を十分に制御、または低下させることができる。
用途利用分野 金属-絶縁膜-半導体トランジスター、MOSトンネルダイオード、PN接合ダイオード
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 小林 光, . 半導体装置の製造方法および半導体装置. 特開2004-296528. 2004-10-21
  • H01L  21/02     
  • H01L  21/316    
  • H01L  29/78     
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/786    
  • H01L  29/94     

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