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n型ダイヤモンド半導体とダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法ならびに電子デバイス

シーズコード S090000214
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 長谷川 雅考
  • 李 成奇
  • 大串 秀世
技術名称 n型ダイヤモンド半導体とダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法ならびに電子デバイス
技術概要 n型ダイヤモンド半導体は、p型ダイヤモンド薄膜などのp型ダイヤモンド半導体が酸化還元作用のない乾いたガスである不活性ガスに曝されたことでn型電気伝導性が付与され、n型ダイヤモンド半導体は低抵抗であって容易に作製できる。p型ダイヤモンド半導体としては、好適には炭素源からのCVD法により形成されたものが用いられる。このとき不活性ガスとして、窒素、アルゴン、ヘリウムなどを用いるが、特にヘリウムが好適である。p型ダイヤモンド半導体としては、好適には炭素源からのCVD法により形成されたものを用いることができ、このような方法を用いることで、燐などのドーピングを行う必要がなく、容易に、CVD法により形成されたAs-Grownのp型ダイヤモンド薄膜などのp型ダイヤモンド半導体を低抵抗のn型ダイヤモンド半導体に変換できる。また、ダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法により得られたn型ダイヤモンド半導体を空気に曝してp型ダイヤモンド半導体に変換することも可能である。さらに、このダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法により、p型ダイヤモンド薄膜の一部をp型からn型あるいはn型からp型に変換することもできる。
研究分野
  • 半導体薄膜
  • 半導体結晶の電気伝導
展開可能なシーズ 低抵抗のn型ダイヤモンド半導体および容易にp型またはn型のいずれかの必要な電気伝導性を有するダイヤモンド半導体を得ることのできる、ダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法ならびに電子デバイスを提供する。
p型とn型のダイヤモンド半導体を相互に変換できることから、必要に応じてp型およびn型のダイヤモンド半導体のいずれかを容易に得ることができる。
用途利用分野 ダイヤモンド半導体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 科学技術振興機構, 産業技術総合研究所, . 長谷川 雅考, 李 成奇, 大串 秀世, . ダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法. 特開2004-319649. 2004-11-11
  • H01L  21/324    
  • C30B  29/04     

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