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微小バンプ作製方法

シーズコード S090000239
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 中田 芳樹
技術名称 微小バンプ作製方法
技術概要 レーザーを発振し、出射するレーザー光を複数の光束に分離し、分離した光束を干渉させた状態で基板上の薄膜に集光し、この干渉によってバンプ形成閾値以上でバンプ限界閾値より小さいフルエンスの干渉域を形成し、その干渉域の薄膜を変形して周期構造のバンプを作製する。レーザー光を干渉させることによりレーザー光のフルエンスを高めることができ、これをバンプ形成閾値以上でバンプ限界閾値より小さい値にコントロールすることにより、レーザー光が干渉したスポットの薄膜が膨張したナノサイズクラスのバンプを形成することができる。干渉によるスポットの周期性によってバンプをナノサイズクラスの周期構造にすることができる。
研究分野
  • 薄膜一般
  • 特殊加工
展開可能なシーズ 周期構造をもつナノサイズクラスのバンプ(突起構造)を容易に加工することができる微小バンプ作製方法、微細メッシュ作製方法、レーザー加工装置、作製用基板を提供する。
周期構造をもつナノサイズクラスの微小なバンプを容易に加工したり、ナノサイズクラスの微小なメッシュを容易に作製したりすることができる。また、コントロールが容易で、安価なレーザー加工装置や安価なバンプ素材やメッシュを提供できる作製用基板を提供できる。
用途利用分野 レーザー加工装置、及び作製用基板
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 科学技術振興機構, . 中田 芳樹, . 微小バンプ作製方法. 特開2004-339538. 2004-12-02
  • B01J  19/12     
  • C23F   4/00     
  • B23K  26/00     
  • B23K  26/06     
  • B81C   5/00     
  • G11B   5/84     
  • H01S   3/00     
  • H01S   3/10     
  • H01S   3/1055   

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