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磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス 新技術説明会

シーズコード S090000315
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 猪俣 浩一郎
  • 手束 展規
技術名称 磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス 新技術説明会
技術概要 基板2と、この基板2上に形成されるCox Cr1-x Al薄膜3とを備え、このCox Cr1-x Al薄膜3はB2またはA2構造の結晶構造を有し、かつ、0≦x≦1である磁性薄膜1とする。このような構成において、Cox Cr1-x Al薄膜3は、基板を加熱することなく成膜され得る。基板2は、熱酸化Si,ガラス,MgO単結晶,GaAs単結晶,Al O 単結晶の何れか一つであればよい。また、基板2とCox Cr1-x Al薄膜3と薄膜の間にAl,Cu,Cr,Fe,Nb,Ni,Ta,NiFeのうちの少なくとも一つから成るバッファー層が配設されていてもよい。さらに、トンネル磁気抵抗効果素子は、基板上に複数の強磁性層を有し、少なくとも一方の強磁性層が、B2またはA2構造の結晶構造を有するCox Cr1-x Al薄膜3で成る。これにより、室温において、強磁性であり、スピン分極率の大きいCox Cr1-x Al薄膜3(ここで、0≦x≦1)磁性薄膜を得ることができる。
画像

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S090000315_01SUM.gif
研究分野
  • 磁性材料
  • 磁電デバイス
展開可能なシーズ スピン分極率の大きい磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイスを提供する。
この薄膜は室温で強磁性であり、かつ、基板を加熱することなく、L2 ,B2,A2構造の何れか一つの構造を作製することができる。
用途利用分野 磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、磁気デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 猪俣 浩一郎, 手束 展規, . 磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス. 特開2004-221526. 2004-08-05
  • H01L  43/08     
  • G11B   5/39     
  • H01F  10/16     
  • H01F  10/32     
  • C22C  19/07     

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