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二次元パターニング方法ならびにそれを用いた電子デバイスおよび磁気デバイスの作製方法

シーズコード S090000330
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 五十嵐 慎一
  • 中村 明子
  • 北島 正弘
技術名称 二次元パターニング方法ならびにそれを用いた電子デバイスおよび磁気デバイスの作製方法
技術概要 基板1上に配置したブリスター3を電子照射により破壊することで、二次元パターンを形成する。即ち、この場合、シリコン基板や金属基板等の基板1に対し、水素イオンや重水素イオン、ヘリウムイオン等の溶解度の低い気体イオン2を注入すると、基板1内の決まった深さ範囲に気体イオン2が溜まり、ブリスター3と呼ばれるドーム状の膨れが形成される。この基板1を酸素雰囲気に曝すと、表面に酸化膜4が形成される。ここで、酸素を廃棄し、酸化膜4の上からブリスター3に対して電子線またはイオン5(電子線・イオン5)を照射すると、そのエネルギーを受けたブリスター3が酸化膜4とともに破壊されて剥離する。こうして、ブリスター3が剥離したところには、清浄な基板1の表面が現れる。これらの一連の作業により、基板表面に酸化表面6と局所的な清浄表面7との二次元パターンが形成される。これにより、感光剤やイオンミリングを使わない二次元パターニングを実現することができ、基板材質と成膜の材質、不溶性気体のイオンと電子のみにより、パターン化された微細加工が可能で、異種原子の介入がないため、不純物による汚染の影響を無くすことができる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 感光剤やイオンミリングを使わない二次元パターニングを可能ならしめる新しい二次元パターニング方法、ならびにそれを用いた新しい電子デバイスおよび磁気デバイスの作製方法を提供する。
感光剤やイオンミリングを使わない二次元パターニングを実現することができ、基板材質と成膜の材質、不溶性気体のイオンと電子のみにより、パターン化された微細加工が可能で、異種原子の介入がないため、不純物による汚染の影響を無くすことができる。
用途利用分野 電子デバイス、磁気デバイス、電気デバイス、半導体デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 科学技術振興機構, 物質・材料研究機構, . 五十嵐 慎一, 中村 明子, 北島 正弘, . 二次元パターニング方法ならびにそれを用いた電子デバイスの作製方法. 特開2005-051081. 2005-02-24
  • H01L  21/302    
  • H01L  21/265    

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