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インデン誘導体の製造方法

シーズコード S090000551
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 高橋 保
  • 席 振峰
  • 孔 凡志
技術名称 インデン誘導体の製造方法
技術概要 式(2)で示される有機金属化合物に還元剤を反応させ、第1の反応混合物を得て、この第1の反応混合物に、式(3a)等で示される2種のアセチレン誘導体を反応させ、第2の反応混合物を得る。さらにこの第2の反応混合物に酸化剤(空気であることが好ましい)を反応させることにより、式(1)で示されるインデン誘導体が製造される。式中、R~R、A及びAは、それぞれ、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいC~C20炭化水素基等を表す。X及びXは脱離基を示し、Lはアニオン性配位子、Mは遷移金属を示す。式中のMが、周期表第4族から第6族の遷移金属であることが好ましく、Mが、チタンであることがより好ましい。またアニオン性配位子が、非局在化環状η-配位系配位子であって、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが好ましい。
画像

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研究分野
  • 各種有機化合物の製造
  • 置換反応
展開可能なシーズ 非対称な置換基を選択的に導入できるインデン誘導体の製造方法の提供する。
選択的に非対称な置換基を導入することにより、触媒の配位子の合成や医薬・農薬合成の中間体として有用であり、その機能、物性を容易に制御することができる。
用途利用分野 インデン誘導体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 高橋 保, 席 振峰, 孔 凡志, . インデン誘導体の製造方法。. 特開2005-247717. 2005-09-15
  • C07C   2/86     
  • C07C  13/465    

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