TOP > 技術シーズ検索 > 多層構造配線のEM損傷によるしきい電流密度予測システム

多層構造配線のEM損傷によるしきい電流密度予測システム

シーズコード S090000638
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 笹川 和彦
  • 長谷川 昌孝
技術名称 多層構造配線のEM損傷によるしきい電流密度予測システム
技術概要 多層構造配線のEM損傷によるしきい電流密度予測システムにおいて、FEM解析手段は、2次元FEM解析による多層構造配線の各要素の電流密度分布、温度分布を計算する。AFDli計算手段は、予め得た配線薄膜特性の定数と、FEM解析手段から得た電流密度分布、温度分布により、バンブー配線の原子流束発散AFDliを計算する。原子濃度変化計算手段は、各要素の原子数の変化を、AFDliの値をもとに計算することで、実時間で割り当てられた時間増分における各要素中の原子濃度Nを計算する。そして、反復手段は、AFDli計算と、原子濃度変化計算とを、いずれかの要素において原子濃度Nの値が臨界原子濃度になるまで、あるいは、Nの値が臨界原子濃度に達することなく原子濃度分布が定常状態を維持するまで実行させる。ここで、AFDliは、数1であり、AFDliは、数2であるとすると良い。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

S090000638_01SUM.gif S090000638_02SUM.gif
研究分野
  • 計算機シミュレーション
  • 半導体集積回路
展開可能なシーズ 同配線の損傷支配パラメータを理論的に定式化し、さらに、このパラメータを用いるにあたり、必要となる物性定数の決定法を開発するとともに、同パラメータを用いた、計算機システムで行なう数値シミュレーション手法によるしきい電流密度の評価システムを提供する。
実際の配線構造により即した、保護膜被覆を有するビア接続配線を対象とした「しきい電流密度」の評価、ひいては同配線の高精度な信頼性評価が可能となる。
用途利用分野 ビア導体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 科学技術振興機構, . 笹川 和彦, 長谷川 昌孝, . 多層構造配線のEM損傷による原子濃度分布評価システム. 特開2005-286202. 2005-10-13
  • H01L  21/3205   
  • H01L  23/52     
  • H01L  21/66     

PAGE TOP