TOP > 技術シーズ検索 > 酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置、SiC基板の酸化方法とそれを用いたSiC-MOS型半導体装置およびそれを用いたSiC-MOS型集積回路、並びにSiC-MOS型半導体装置およびSiC-MOS型集積回路の製造装置

酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置、SiC基板の酸化方法とそれを用いたSiC-MOS型半導体装置およびそれを用いたSiC-MOS型集積回路、並びにSiC-MOS型半導体装置およびSiC-MOS型集積回路の製造装置

シーズコード S090000853
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 小林 光
技術名称 酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置、SiC基板の酸化方法とそれを用いたSiC-MOS型半導体装置およびそれを用いたSiC-MOS型集積回路、並びにSiC-MOS型半導体装置およびSiC-MOS型集積回路の製造装置
技術概要 酸化膜の形成方法において、酸化性溶液またはその気体を半導体に作用させることにより、半導体表面で化学酸化膜を形成する。シリコン基板11上に、予め、分離領域12を形成する(a)。シリコン基板11の表面に自然酸化膜13が形成されているときは、よく知られているRCA洗浄方法により自然酸化膜13を完全に除去できる(b)。次に、シリコン基板11を処理槽で低濃度でも酸化力の強い溶液(酸化性溶液)に浸漬し、かつ、10Vの正の電圧を印加して室温で約10分間維持する。酸化性溶液として硝酸濃度1モルの硝酸水溶液を用い、シリコン基板11表面の活性領域上に厚さ約10nmの二酸化シリコン膜15を均一に形成する(c)。つづいて、二酸化シリコン膜15および分離領域12上に金属膜16を形成する。この金属膜16は、1wt%のシリコンを含むアルミニウム合金を、周知の抵抗加熱蒸着法により膜厚約200nmに堆積することで形成する。その後、金属膜16を所望の形状にパターニングして、電極17を形成することで(f)、MOSキャパシタを製造する。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

S090000853_01SUM.gif
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 酸化物薄膜
  • 半導体集積回路
展開可能なシーズ 従来の陽極酸化で適用される、100Vを超えるような高電圧でなく、低電圧で高品質の化学酸化膜(特に、二酸化シリコン膜)を実現することができる、酸化膜の形成方法、その酸化膜を用いる半導体装置の製造方法およびその半導体装置の製造装置を提供する。
所望の厚さの高品質の化学酸化膜を、低温・低電圧で、半導体表面に均一に形成することが可能である。すなわち、化学酸化膜の膜質を向上でき、リーク電流密度の低い高品質の化学酸化膜を形成できる。
用途利用分野 半導体装置、
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 小林 光, . 酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、SiC基板の酸化方法とそれを用いたSiC-MOS型半導体装置およびそれを用いたSiC-MOS型集積回路. 特開2005-311352. 2005-11-04
  • H01L  21/316    
  • H01L  29/78     
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/786    
  • H01L  29/12     

PAGE TOP