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炭素系薄膜およびその製造方法

シーズコード S090000876
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 岩村 栄治
技術名称 炭素系薄膜およびその製造方法
技術概要 粒径が2nmを超えるグラファイトクラスターを含む第1領域11と、粒径が2nmを超えるグラファイトクラスターを含まない第2領域12とを有し、これら領域が表面に露出し、かつ以下のa)およびb)から選ばれる少なくとも一方の条件を満たす炭素系薄膜10を提供する。a)第1領域がFe、Co、Ni、Al、Cu、Auなどの金属元素を含む。b)第1領域がグラファイトクラスターとしてプレート状グラファイト構造およびオニオン状グラファイト構造から選ばれる少なくとも一方を含む。この炭素系薄膜は、1)炭素系非晶質薄膜の表面からこの薄膜の一部にこの金属元素のイオンを注入することにより、薄膜に、金属元素を含む第1領域と金属元素を含まない第2領域とを形成する工程、2)少なくとも第1領域にエネルギーを供給することにより、第2領域におけるグラファイトクラスターの成長をその粒径が2nm以下となる程度に抑制しながら、第1領域に粒径が2nmを超えるグラファイトクラスター(プレート状グラファイト構造およびオニオン状グラファイト構造から選ばれる少なくとも一方であるグラファイトクラスター)を形成する工程の2つの工程により製造される。
画像

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S090000876_01SUM.gif
研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 特性が異なる2つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
電気的、光学的、機械的諸特性が異なる領域が薄膜の面内の所望の位置に配置された炭素系薄膜が提供され、この薄膜は、例えば導体が厚さ方向に貫通した層間絶縁膜等として、各種電子デバイス、光学デバイス、耐摩耗部材に適用可能である。
用途利用分野 炭素系薄膜、層間絶縁膜
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 岩村 栄治, . 炭素系薄膜. 特開2006-219363. 2006-08-24
  • C01B  31/02     
  • C23C  14/06     
  • C23C  14/48     

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