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超伝導素子及びその作製方法

シーズコード S090000940
掲載日 2009年9月14日
研究者
  • 春山 純志
技術名称 超伝導素子及びその作製方法
技術概要 超伝導素子1は、基板S上に形成された多孔質膜2と、多孔質膜2の細孔21中に形成され、長手方向に対して垂直に切断されたMWNT3と、多孔質膜上に形成され、MWNTの切断面に接触する金属電極4とからなる。MWNT3は、その直径が5~20nm、好ましくは10~20nmであり、その層数が2~20である。ここでは、例えば5層からなるMWNT3を示し、各層は同心円状に配置される。この場合、MWNT3は、欠陥がなく、触媒が残っていないことが好ましい。さらに、MWNT3はその一端が多孔質膜2の上面に対して水平になるように平坦に切断される。この切断面に金属電極4が接触するので、金属電極によってMWNTに電圧が印加されて、MWNTを構成する各層に電圧が印加され、MWNT全体が電気的に活性な状態となって、層間相互作用が強まり、超伝導状態が発現しうる。金属電極4は、MWNT3の切断面31でMWNTと接触しているので、各層を電気的に活性化させ、超伝導を発現させることが可能となる。
画像

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研究分野
  • 超伝導材料
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 多層カーボンナノチューブ(MWNT)自体を超伝導状態にすることができる超伝導素子及びその製造方法を提供する。
MWNT自体が超伝導状態となれば、各MWNTは強いスピンエンタングルメントを維持することができるので、量子コンピュータや量子テレポーテーションなどの次世代量子エレクトロニクス分野において利用することが可能である。
用途利用分野 多層カーボンナノチューブ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 春山 純志, . 超伝導素子及びその作製方法. 特開2007-251028. 2007-09-27
  • H01L  39/12     
  • B82B   1/00     
  • B82B   3/00     
  • C01B  31/02     
  • H01L  39/24     
  • H01L  39/00     
  • H01L  29/06     

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