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窒化ガリウム単結晶の育成方法

シーズコード S090001116
掲載日 2010年3月5日
研究者
  • 佐々木 孝友
  • 森 勇介
  • 山根 久典
技術名称 窒化ガリウム単結晶の育成方法
技術概要 窒化ガリウム単結晶の育成方法では、窒化ガリウム(GaN)または窒化アルミニウム(AlN)の薄膜を表面に堆積させた基板の使用が欠かせない。基板として、サファイア基板やGaAs基板、GaAlAs基板、GaP基板、InP基板、シリコン基板などの各種の基板を用いることができる。窒素原料は、Naの含窒素化合物、特に、Naのアジド、アジン、ヒドラジド、等の化合物が好適なものとして例示される。その他のアルカリ金属やアルカリ土類金属等のGaとの間で化合物等を生成させることのない元素の含窒素化合物であってもよい。ガリウム原料は、単体金属、合金、化合物の各種のものでよい。600℃という比較的低温でも、窒化ガリウム単結晶が核発生する。この温度は、従来の自然核発生法では核発生がほとんど不可能な温度である。実施例で得たとSEM写真と光学顕微鏡写真を図1に示す。
画像

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S090001116_01SUM.gif
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ 核発生の制御を可能とし、比較的低温・低圧で、高品質な、大きなバルク状の窒化ガリウム単結晶を合成する新しい方法を提供する。
核発生の制御を可能とし、比較的低温・低圧で、高品質な大きなバルク状窒化ガリウム単結晶を育成することができる。
用途利用分野 青色発光素子材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, . 佐々木 孝友, 森 勇介, 山根 久典, . 窒化ガリウム単結晶の育成方法. 特開2000-327495. 2000-11-28
  • C30B  29/38     

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