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二ホウ化マグネシウムの製造方法

シーズコード S090001133
掲載日 2010年3月5日
研究者
  • 櫻井 浩
  • 尾池 弘美
  • 高野 勝昌
  • 細谷 拓己
  • 工藤 広史
  • 佐々木 淳之
技術名称 二ホウ化マグネシウムの製造方法
技術概要 二ホウ化マグネシウムの製造方法は、MBE(分子線エピタキシー)反応室2にマグネシウム蒸着源5、ホウ素蒸着源6および基板11を配置、この反応室内でマグネシウムとホウ素とを同時に蒸着する事により、基板上に二ホウ化マグネシウムを形成する方法である。基板の温度は100℃以下とし、マグネシウム蒸着量とホウ素蒸着量の比は1.0~9.0の範囲内とする。MBE法とは、1×10-8Pa以下の超高真空中に保った反応室中で基板に分子線を入射させ、基板上にエピタキシャル成長層を形成する方法である。ただし、成膜時の圧力は1×10-5Pa以下とすることが望ましい。それぞれの蒸着量は、マグネシウムの蒸着量を0.5nm/s未満とし、ボロンの蒸着量を0.05nm/s未満とすることが望ましい。また、基板はサファイヤを使用するが、シリコン基板やガラス基板を使用しても良い。基板の表面状態は特に限定しない。本発明により、半導体装置等の集積回路に、二ホウ化マグネシウム薄膜から成るデバイスを組み込むことが可能になる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 固体の製造・処理一般
展開可能なシーズ 有機材料の上に二ホウ化マグネシウムの薄膜を形成する技術において、従来の技術では基板温度が高く有機材料が溶解する問題があった。このため、有機レジストを用いたリフトオフ法による微細加工ができないという欠点があった。そこで、低温で二ホウ化マグネシウム薄膜を形成する製造方法を開発、微細加工を安定して実施可能にする。
100℃以下という比較的低温で、二ホウ化マグネシウム薄膜を形成することが可能になる。有機材料の上に二ホウ化マグネシウム薄膜を形成しても、有機材料が融解せず、微細加工を行うことが可能になった。従って、半導体装置等の集積回路に、二ホウ化マグネシウム薄膜から成るデバイスを組み込む事ができる。
用途利用分野 超伝導材料、超伝導デバイス、集積回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人群馬大学, . 櫻井 浩, 尾池 弘美, 高野 勝昌, 細谷 拓己, 工藤 広史, 佐々木 淳之, . 二ホウ化マグネシウムの製造方法. 特開2006-265049. 2006-10-05
  • C01B  35/04     
  • C01G   1/00     
  • H01B  12/06     
  • H01B  13/00     

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