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pチャネル電界効果トランジスタの製造方法

シーズコード S090001361
掲載日 2010年3月5日
研究者
  • 川原田 洋
技術名称 pチャネル電界効果トランジスタの製造方法
技術概要 pチャネル電界効果トランジスタの製造方法において、液体電解質をゲートとして使用し、オゾン処理により水素終端表面を部分的に酸化し、水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるようにしたものである。また、水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面の酸素の被覆率を高くすることにより閾値電圧を負の方向にシフトすることを特徴とする。高抵抗表面チャネル1を有するダイヤモンド電界効果トランジスタ(FETs)をオゾン(O )処理2することにより作製した。このオゾン処理2により、ダイヤモンドの表面導電層が徐々に失われた。60分間のオゾン処理cの後、シート抵抗はオゾン処理をしなかったd表面の20~30倍となり、0.44Vの閾値電圧(Vth)のシフトを引き起こした。閾値電圧の絶対値は、オゾン処理の時間の増加に伴い増加した。よって、閾値電圧がオゾン処理によりコントロールできることが分かった。
画像

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研究分野
  • トランジスタ
展開可能なシーズ オゾン処理した表面で、チャネルの抵抗が上昇し、それを用いたpチャネル電界効果トランジスタを作製した。さらに閾値電圧が負の方向に移動することを見い出した。その時に、チャネルとしてのダイヤモンド表面が酸素終端されていることを光電子分光(XPS)により、明らかにした。そこで、オゾン処理による高い閾値電圧を有する特性の良好なpチャネル電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
イオン感応性のない表面チャネルを有する電界効果トランジスタが作製でき、それを基礎に所望の感応性を有する有機分子、生体分子を固定し、選択性の高いイオンセンサーやバイオセンサーを作製することができる。
用途利用分野 電界効果トランジスタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 川原田 洋, . pチャネル電界効果トランジスタの製造方法. 特開2004-109020. 2004-04-08
  • G01N  27/414    
  • H01L  29/78     
  • C12N  15/09     

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