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透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法

シーズコード S090001428
掲載日 2010年3月5日
研究者
  • 細野 秀雄
  • 植田 和茂
  • 太田 裕道
  • 平野 正浩
技術名称 透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法
技術概要 透明酸化物としてデラフォサイト型のCuInO を用いる。そして、Inサイトの一部をCaイオンで元素置換することによりp型CuInOを制作し、Inサイトの一部をSnイオンで元素置換することによりn型CuInOを制作する。制作した透明酸化物であるn型CuInOとp型CuInOを積層して、透明p-n接合からなる透明酸化物ダイオードを制作する。積層する方法としては、例えば、PLD法、スパッタリング法、CVD法、MBE法、真空蒸着法などを選ぶことができる。
研究分野
  • ダイオード
  • 13‐15族化合物を含まない半導体‐半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 従来、n型ないしp型を示す透明酸化物半導体は、知られていたが、同一結晶中でp型とn型の半導体特性が得られる透明酸化物は存在せず、透明な酸化物p-nホモ接合ダイオードを形成できなかった。ホモ接合では、原理的に結晶格子間のミスマッチが存在しないために、格子歪のない良質な接合を形成できる。これにより、400℃の高温大気中でも安定に駆動でき、可視光に対する透明性が高い透明酸化物p-n接合ダイオードを提供する。
本発明の透明酸化物ダイオードは、高温大気中においても安定に駆動させることができ、可視光に対する透明性が高い。
用途利用分野 透明酸化物p-n接合ダイオード
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, HOYA株式会社, . 細野 秀雄, 植田 和茂, 太田 裕道, 平野 正浩, . 透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法. 特開2002-261294. 2002-09-13
  • H01L  29/86     
  • H01L  29/861    
  • H01L  33/00     

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