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半導体基板表面の酸化膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

シーズコード S090001431
掲載日 2010年3月5日
研究者
  • 小林 光
  • 西山 雅祥
技術名称 半導体基板表面の酸化膜の形成方法及び半導体装置の製造方法
技術概要 シリコンカーバイド基板1を洗浄した後、203℃に加熱した濃度72.4vol.%の過塩素酸水溶液に25分間浸漬することによって、シリコンカーバイド基板1の表面に二酸化シリコン膜5を形成する。その後、電気炉で窒素中900℃で2時間加熱する。できた二酸化シリコン膜5上にアルミニウムゲート電極7を形成する。この工程を施すことにより、酸化膜中に取り込まれていた塩素及び塩素化合物が脱離し、それによってデバイスを構成したときのリーク電流密度を低下させることができる。
画像

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研究分野
  • 酸化物薄膜
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 過塩素酸によって半導体基板表面を酸化すると、低温で酸化膜を形成でき、界面特性の優れた酸化膜となるが、リーク電流密度が高くなる欠点があった。それに対し、半導体基板の表面に高品質の二酸化シリコン膜を制御性よく形成するとともに、リーク電流密度を下げる。
過塩素酸を用いてシリコンカーバイド基板やシリコン基板などの半導体基板表面を酸化することにより、界面特性に優れた高品質の酸化膜を形成することができる。さらに加熱処理を施すことによりデバイスに利用した場合のリーク電流密度を下げることができるので、これらの酸化膜をゲート酸化膜として用いることにより高性能なMOSデバイスを実現することができる。
用途利用分野 MOSデバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 小林 光, 西山 雅祥, . 半導体基板表面の酸化膜の形成方法及び半導体装置の製造方法. 特開2002-289612. 2002-10-04
  • H01L  21/316    
  • H01L  21/822    
  • H01L  27/04     
  • H01L  29/78     

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