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成膜方法および成膜装置

シーズコード S090001436
掲載日 2010年3月5日
研究者
  • 秩父 重英
技術名称 成膜方法および成膜装置
技術概要 比較的高真空で発生させる弱磁界アシスト低エネルギプラズマを、プラズマ源1により基板3から隔離して発生させて、ターゲット2を衝撃する。これにより、プルーム的なスパッタ粒子4のみが基板3に供給され、プラズマの到達しない基板上へエピタキシャル成長が行われるので、膜損傷が劇的に減少する。プラズマ源には、ヘリコン波励起プラズマを用いる。また、ターゲット2にバイアスを与えることにより所望の並進エネルギを与えることが可能であり、成長部は真空度が高く、基板ヒータ5などによる基板加熱も可能となり、新しいエピタキシー法が実現されることになる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 多結晶酸化物半導体薄膜を従来の成膜技術で制作すると、成長中の膜損傷が大きく、光学特性に優れた多結晶薄膜の形成は困難であった。これに対して、ダメージフリーな高機能エピタキシャル被膜形成を容易に行うことのできる、新しい成膜方法および成膜装置を提供する。
プラズマによる損傷が極めて少ない高性能な多結晶酸化物半導体薄膜が形成できる。特に大面積の基板に安価に再現性および均一性良くエピタキシャル薄膜を成長させることのできる、新しい成膜方法および成膜装置が提供される。これにより、ガラスや反射率の高い金属上に多結晶接合形発光素子を形成することで、大型フラットディスプレイを高層ビルの窓にはめ込んだり、自動車のフロントガラスに組み込むことも可能になる。
用途利用分野 酸化物半導体成膜装置、酸化物半導体薄膜、透明導電性電極・窓材料、薄膜発光素子材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, . 秩父 重英, . 成膜方法および成膜装置. 特開2002-329669. 2002-11-15
  • H01L  21/203    
  • C30B  23/08     
  • H01L  33/00     

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